在掃描電鏡（SEM）中觀察非導電樣品時，電荷積聚是常見問題，會導致圖像發(fā)亮、漂移或失真。為了避免電荷積聚，可以采取以下幾種方法：

樣品鍍導電層：

使用金（Au）、鉑（Pt）、碳（C）等材料在樣品表面鍍上一層幾納米厚的導電膜，使表面電荷能夠快速泄放。

降低加速電壓：

通過降低電子束能量（如從 15 kV 降到 1–5 kV），減少電子在樣品內部的穿透深度，從而減輕電荷積聚。

使用低真空或環(huán)境掃描電鏡模式（ESEM）：

在低真空模式下，腔體中存在少量氣體分子（如水蒸氣），這些分子能中和樣品表面的電荷。

采用導電膠或導電銀漆連接樣品：

在樣品與樣品臺之間加導電連接，使電荷能夠有效傳導至接地系統。

選擇合適的觀測角度與束流強度：

減小電子束電流密度，或改變入射角，可以減輕局部電荷積累。

使用電子束掃描補償技術：

一些先進的掃描電鏡具有電荷中和或電子束補償功能，可自動調整電子流量以抵消電荷效應。